CADモデル
製造元 onsemi FCPF2250N80Z のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 17 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 17 hours ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTP4NK80ZFP
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
説明
onsemi FCPF2250N80Zの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
21.9W(Tc) 20V 4.5V@ 260¦ÌA 14nC@ 10V 1individualNChannel 800V 2.25¦¸@ 1.3A,10V 2.6A 585pF@100V TO-220F Through hole mounting 10.36mm*4.9mm*16.07mm
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Resistance2.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance585 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation21.9 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max2.25 Ω
Resistance2.25 Ω
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns