CADモデル
製造元 onsemi FCH041N65F-F085 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-02-06
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTY100NM60N
N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
onsemiFCH041N60F-F085
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 / N-Channel 600 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
STMicroelectronicsSTW65N65DM2AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
説明
onsemi FCH041N65F-F085の詳細は販売業者から提供されます。
SuperFET II™ FRFET MOSFET, N-Channel, 650V, 76A, 34mΩ
Trans MOSFET N-CH 650V 76A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
RAIL / A S FET2 650V
new, original packaged
TO-247-3 MOSFETs ROHS
MISCELLANEOUS MOSFETS;
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizingcharge balance technology for outstanding low on-resistanceand lower gate charge performance. This technology is tailoredto minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently SuperFETII is very well suited for the Soft switching and Hard Switching topologies like High Voltage Full Bridge and Half Bridge DC-DC, Interleaved Boost PFC, Boost PFC for HEV-EV automotive.SuperFET II FRFET® MOSFET’s optimized body diode reverserecovery performance can remove additional component andimprove system reliability
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)76 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance41 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.566 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation595 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation595 W
Rds On Max41 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time183 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Dimensions
Height24.75 mm