CADモデル
製造元 onsemi FCB290N80 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTB23N80K5
N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB24N65M2
N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB90R340C3ATMA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263 / Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
説明
onsemi FCB290N80の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 17 A, 290 mΩ, D2PAK
212W(Tc) 20V 4.5V@1.7mA 75nC@ 10 V 1N 800V 290m¦¸@ 8.5A,10V 17A 3.205nF@100V D2PAK 5.08mm
Aluminum Electrolytic Capacitors 22μF Radial, Can - SMD ±20% Tape & Reel (TR) FK 0.240 6.10mm Surface Mount Automotive CAP ALUM 22UF 20% 50V SMD
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.205 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation212 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation212 W
Rds On Max290 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height5.08 mm