onsemi FCA20N60-F109

Name: onsemi FCA20N60-F109
Brand: onsemi
SKU: FCA20N60-F109

FCA20N60 Series 600 V 190 mOhm 20 A N-Channel SuperFET® MOSFET - TO-3PN

$ 3.146

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FCA20N60-F109	900	450					3.401	3.146	6d
Verical	2	FCA20N60_F109	379	91				3.925	3.513	3.313
Rochester Electronics		FCA20N60-F109	12,493					3.140	2.810	2.650	1d
DigiKey		FCA20N60-F109-ND	432	1	Tube	7.500	7.500	4.330	3.146	3.146
Flip Electronics		FCA20N60-F109	900								7d

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IHS

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Master Electronics

onsemi

Future Electronics

Fairchild Semiconductor

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サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FCA20N60-F109の詳細は販売業者から提供されます。

FCA20N60 Series 600 V 190 mOhm 20 A N-Channel SuperFET® MOSFET - TO-3PN

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

208W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 600V 190m¦¸@ 10A,10V 20A 3.08nF@25V TO-3PN 16.2mm*5mm*20.1mm

Unikeyic (ICkey)

FCA20N60_F109 Fairchild/ON Semiconductor

YIC International

FCA20N60-F109, SINGLE MOSFETS;

Farnell

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FCA20N60F109
FCA20N60_F109

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技術仕様

Physical

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.401 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)20 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance190 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time65 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance3.08 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation208 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation208 W

Rds On Max190 mΩ

Resistance190 MΩ

Rise Time140 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time230 ns

Turn-On Delay Time62 ns

データシート & ドキュメント

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