CADモデル
製造元 onsemi ECH8690-TL-H のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMCH6445-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiMCH6445-TL-E
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
onsemi ECH8690-TL-Hの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A Automotive 8-Pin SOT-28FL T/R
1.8W 20V 2.6V 18nC@ 10V 2N+2PChannel 60V 55mΩ@ 2A,10V 4.7A，3.5A 955pF@20V ECH-8 SMD mount
Power MOSFET, Complementary Dual, 60V
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
ECH8690 Series 60 V 55mOhm 1.5 W N and P-Channel Power Mosfet
MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
MOSFET, N & P-CH, 60V, 4.7A, ECH-8; Transistor Polarity: N and P Complement; Continuous Drain Current Id: 4.7A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance153 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance955 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max55 mΩ
Schedule B8541290080
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント