CADモデル
製造元 onsemi CPH3145-TL-E のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
関連部品
onsemi2SA1706T-AN
TRANS PNP 50V 2A 3NMP / Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 150MHz 1 W Through Hole 3-NMP
onsemiCPH3116-TL-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3. ONSSPCDDENY1E7M;
ROHMDTA143EUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
説明
onsemi CPH3145-TL-Eの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Low VCE(sat) Bipolar Transistor, PNP, -50V, -2A
ON SEMI CPH3145-TL-E PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 2 A, 50 V, 3-PIN CPH
Trans GP BJT PNP 50V 2A 900mW 3-Pin CPH T/R
TRANSISTOR, PNP, 50V, 2A, SOT346; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Typ Gain Bandwidth ft:420MHz; Power Dissipation Pd:900mW; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:560; Transistor Case Style:SOT-346; No. of Pins:3
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-330 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency420 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Transition Frequency420 MHz
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.6 mm