価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BUB323ZT4G | 1,600 | 800 | 3d | ||||||||
| Newark | BUB323ZT4G | 566 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BUB323ZT4G | 558 | 1 | |||||||||
| Verical | BUB323ZT4G | 1,600 | 800 | |||||||||
| Rochester Electronics | BUB323ZT4G | 518 | 13h |
CADモデル
製造元 onsemi BUB323ZT4G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi BUB323ZT4Gの詳細は販売業者から提供されます。
BUB323Z Series 350 V 10 A 150 W NPN SMT Silicon Power Darlington - D2PAK-3
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Trans Darlington NPN 350V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
BIPOLAR TRANSISTOR, DARLI.; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350V; Transition Frequency ft: 2MHz; Power Dissipation Pd: 150W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 500hFE; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Current Ic Continuous a Max: 10A; Gain Bandwidth ft Typ: 2MHz; Hfe Min: 0.5; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power Bipolar
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Continuous Collector Current10 A
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min500
Max Breakdown Voltage350 V
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)350 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント