onsemi AFGHL50T65SQD

Name: onsemi AFGHL50T65SQD
Brand: onsemi
SKU: AFGHL50T65SQD

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	AFGHL50T65SQD	221,400	450					2.742	2.572	12h
Newark		AFGHL50T65SQD	1,326	1		6.910	4.630	4.210	4.070	4.070
Rochester Electronics		AFGHL50T65SQD	420					2.600	2.330	2.190	9h
Verical	3	AFGHL50T65SQD	115,650	450					2.621	2.621
DigiKey		488-AFGHL50T65SQD-ND	213	1	Tube	6.510	6.510	3.714	2.650	2.605

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Master Electronics

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Richardson RFPD

AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT

onsemi

AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 268 W Through Hole TO-247-3

Win Source

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

Semicontronic

Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin TO-247

Avnet Japan

IGBT Transistors 650V50A FS4 IGBT TO-247LL

Digi-ic_SMART PIONEER

晶体管, IGBT, 650V, 80A, 268W, TO-247;

element14 APAC

ON Semiconductor AFGHL50T65SQD

RS APAC

IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:268W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark