onsemi AFGB40T65SQDN

Name: onsemi AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDN

IGBT, 650V FS4 High speed version, for OBC application in D2pak 650V, 40A, D2PAK

$ 2.666

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		AFGB40T65SQDN	4,000	800					2.792	2.641	1d
Newark		AFGB40T65SQDN	745	1	Cut Tape	7.080	5.150	3.990	3.790	3.790
Verical		AFGB40T65SQDN	660	3			3.118	2.946	2.666	2.666
Arrow Electronics		AFGB40T65SQDN	660	1		3.594	3.118	2.946	2.666	2.666
DigiKey	3	AFGB40T65SQDNOSCT-ND	1,419	1	Cut Tape	6.570	4.409	3.184	3.184	3.184

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-04-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

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IGBT, 650V FS4 High speed version, for OBC application in D2pak 650V, 40A, D2PAK

onsemi

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Richardson RFPD

Insulated Gate Bipolar Transistor

IHS

Igbt, 650V, 80A, 238W, To-263; Dc Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.6V; Power Dissipation Pd:238W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-263; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Onsemi AFGB40T65SQDN

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