価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 50A02MH-TL-E | 237,000 | 9K | 1d | ||||||||
| Newark | 50A02MH-TL-E | 8,917 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | 50A02MH-TL-E | 4,329 | 75 | |||||||||
| Arrow Electronics | 50A02MH-TL-E | 4,329 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 869-1118-1-ND | 7,064 | 1 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 onsemi 50A02MH-TL-E のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
説明
onsemi 50A02MH-TL-Eの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Transistor, -50V, -0.5A, Low VCE(sat), PNP Single MCPH3
50A02MH Series 50 V 500 mA 600 mW Surface Mount Bipolar Transistor - MCPH-3
ON SEMI 50A02MH-TL-E PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.5 A, 50 V, 3-PIN MCPH
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Silicon, PNP
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R / TRANS PNP 50V 0.5A MCPH3
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 50V
TRANSISTOR, PNP, 50V, 0.5A, SC-82; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Typ Gain Bandwidth ft:690MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:500; Transistor Case Style:SC-82; No. of Pins:3
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-60 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product690 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency690 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation600 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency690 MHz
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width2.1 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント