価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 2SB1215T-H | 2,500 | 1786 | 16h | ||||||||
| Flip Electronics | 2SB1215T-H | 2,500 | 4d | |||||||||
| Win Source | WS-2SB1215T-H | 20 | 105 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | 2SB1215T-H | 29,634 | 7 | Bulk | 14h | |||||||
| Esaler Electronic | 2SB1215T-H | 500 | 5h |
CADモデル
製造元 onsemi 2SB1215T-H のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
関連部品
onsemi2SB1215S-E
TRANS PNP 100V 3A TP / Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1 W Through Hole TP
onsemi2SB1216S-E
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251
説明
onsemi 2SB1215T-Hの詳細は販売業者から提供されます。
TRANS PNP 100V 3A TP / Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Bipolar Transistor, -100V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single, TP/TP-FA
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
500mV@ 150mA,1.5A PNP 1W 6V 1¦ÌA 120V 100V 3A TO-251-3 6.5mm*2.3mm*5.5mm
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)500 mV
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
hFE Min200
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Transition Frequency130 MHz