CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemi2SB1201T-TL-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
onsemi2SB1202S-TL-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
onsemi2SB1202T-TL-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
Toshiba2SA2097(TE16L1,NQ)
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
説明
onsemi 2SB1201S-TL-Eの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252
2SB1201 Series 50 V 2 A Surface Mount PNP Bipolar Transistor - TO-252
ON SEMI 2SB1201S-TL-E PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 2 A, 50 V, 3-PIN TP-FA
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
50V 0.8W 100@100mA,2V 2A PNP TO-252 Bipolar (BJT) ROHS
50V 15W 2A 140@100mA2V 150MHz PNP 150mV@1A50mA +150¡Í@(Tj) TP-FA Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, PNP, 50V, 2A, TO-251; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:280; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min140
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント