CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2019-07-31
LTD Date2020-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
説明
onsemi 2SA2126-Eの詳細は販売業者から提供されます。
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V -3A 800mW 390MHz
Bipolar Transistor, -50V, -3A, Low VCE(sat), PNP Single TP/TP-FA
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Bipolar Transistor, PNP, -50 V, -3.0 A
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)520 mV
Continuous Collector Current-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product390 MHz
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation800 mW
Transition Frequency390 MHz