CADモデル
製造元 onsemi 2SA1208T のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1995-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
説明
onsemi 2SA1208Tの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 160V 0.07A 900mW 3-Pin Case MP
PNP 100nA 160V 70mA MP-3 Through hole mounting
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-180 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Collector Current70 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Number of Elements1
Power Dissipation900 mW
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height11.8 mm