CADモデル
製造元 onsemi 2N5172 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2010-12-03
LTD Date2011-06-03
説明
onsemi 2N5172の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Trans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Package/Case:TO-92; Power Dissipation, Pd:0.625W; DC Current Gain Min (hfe):100; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; C-E Breakdown Voltage:25V ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN 300MA TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:500; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; RF Transistor Case:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Collector Current Ic:10mA; Package / Case:TO-92; Termination Type:Through Hole; Transistor Case Style:TO-92; Transistor Type:General Purpose
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)25 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation620 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height6.72 mm