CADモデル
製造元 Omron EE-SX1109 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
 TraceParts | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginJapan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-02-28
LTD Date2018-06-30
関連部品
VishayTEMD5110X01
IR-photodiode Photoelectric current: 45...65 uA Wavelength of max. photosensitivity: 940 nm
VishayTEMD5120X01
1.3V 940nm 130¡ã 790nm~1.05¦Ìm 100ns 60V(DC) Pin 2nA 4.4mm2 SMD-4P SMD mount 4.2mm*5mm*1.08mm
OsramSFH 3400-Z
Ambient Light Sensor PhototransistorChip Silicon 850nm Automotive AEC-Q102 3-Pin DIL SMT T/R
説明
Omron EE-SX1109の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3mm Slot Width
Fork coupler Dimensions L x W x H: 6 x 4 x 5 mm Gap width: 3 mm Operating temperature: -30...+85 °C Break-time: 10 µs Make-time: 10 µs Output collector-emitter voltage: 20 V
Photo Microsensor, Transistor, Full Reel; Sensor Output:phototransistor; Sensor Mounting:smd; Gap Width:3Mm; Aperture Width:0.5Mm; Forward Current If:25Ma; Reverse Voltage Vr:5V; Forward Voltage:1.1V; Product Range:ee-Sx1109 Series Rohs Compliant: Yes
メーカーの別名
Omronは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Omron は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountPCB, Surface Mount
Number of Pins4
Technical
Ambient Temperature Range High85 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage100 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Dark Current100 nA
Fall Time10 µs
Forward Current25 mA
Forward Voltage1.1 V
Input Current5 mA
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current20 mA
Max Input Current5 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Current20 mA
Max Power Dissipation75 mW
Min Operating Temperature-30 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage20 V
PackagingCut Tape
Power Dissipation75 mW
Response Time10 µs
Reverse Breakdown Voltage5 V
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time10 µs
Sensing Distance2.9972 mm
TerminationSolder
Turn-Off Delay Time10 µs
Turn-On Delay Time10 µs
Wavelength900 nm
Dimensions
Height5.15 mm
Length6 mm
Width4 mm