CADモデル
製造元 NXP Semiconductors PMV16UN,215 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
説明
NXP Semiconductors PMV16UN,215の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, N Channel, 20V, 0.015Ohm, 5.8A, To-236Ab-3
20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
メーカーの別名
NXP Semiconductorsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 NXP Semiconductors は以下の名前でも知られているかもしれません：
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance670 pF
Max Dual Supply Voltage20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.17 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation510 mW
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 MΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time170 ns
Turn-On Delay Time12 ns