NXP Semiconductors PDTC114ET

Name: NXP Semiconductors PDTC114ET
Brand: NXP Semiconductors
SKU: PDTC114ET

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min
UnikeyIC	PDTC114ET	27,000	3K					0.020	1h
Component Stockers USA	PDTC114ET	432		99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	1d
Worldway Electronics	PDTC114ET	6,054	7		0.015	0.014	0.014	0.014	2h
Aztech	PDTC114ET	4,018		4.680	4.680	4.680	4.680	4.680	23h
Chipsmall Limited	PDTC114ET	1,480,000	1	0.097	0.064	0.039	0.032	0.032	1h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

NXP Semiconductors PDTC114ETのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet13ページ3年前

Datasheet0ページ0年前

Farnell

element14

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

CADモデル

製造元 NXP Semiconductors PDTC114ET のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2004-06-30

説明

NXP Semiconductors PDTC114ETの詳細は販売業者から提供されます。

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Semicontronic

50 V, 100 MILLI AMPERE NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 KILO OHM, R2 = 10 KILO OHM

Rebound Electronics

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin TO-236AB

Verical

100 mA 50 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB

Component Stockers USA

Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current, Ic:100mA; Base Input Resistor, R1:10kohm ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:30; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:p/t16; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:50V

element14 APAC

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / DC Current Gain (hFE) = 30 / Power Dissipation (Pd) mW = 250 / Typical Input Resistor kOhm = 10 / Typical Resistor Ratio kOhm = 1 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 10 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 150 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Operating Frequency MHz = 230

Distrelec