NXP Semiconductors MMRF1014NT1

Name: NXP Semiconductors MMRF1014NT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: MMRF1014NT1

RF Power Transistor, 1 to 2000 MHz, 4 W, Typ Gain in dB is 18 @ 1960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1811

$ 13.145

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		MMRF1014NT1	990					11.330	10.140	9.540	12h
UnikeyIC		MMRF1014NT1	1,000	1K	Tape & Reel				11.601	11.058	12h
Arrow Electronics		MMRF1014NT1	2,000	1K					13.199	13.199
Verical		MMRF1014NT1	2,000	1K					13.199	13.199
DigiKey	3	MMRF1014NT1CT-ND	982	1	Cut Tape	21.200	16.896	14.641	13.867	13.867

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NXP Semiconductors SCT

Datasheet15ページ11年前

IHS

Freescale Semiconductor

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00

Introduction Date2014-06-12

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-09-30

説明

NXP Semiconductors MMRF1014NT1の詳細は販売業者から提供されます。

RF Power Transistor,1 to 2000 MHz, 4 W, Typ Gain in dB is 18 @ 1960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1811

RFMW

LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V, PLD4L

NXP Semiconductors SCT

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Trans RF FET N-CH 68V 4-Pin T/R

Verical

Rf Fet, 68V, 2Ghz-1Mhz, Pld-1.5; Drain Source Voltage Vds:68V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:-; Operating Frequency Min:2Ghz; Operating Frequency Max:1Mhz; Rf Transistor Case:Pld-1.5; No. Of Pins:2Pins; Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors MMRF1014NT1

Newark