NXP Semiconductors AFT09MS007NT1

Name: NXP Semiconductors AFT09MS007NT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: AFT09MS007NT1

FPGA Cyclone Family 12060 Cells 320.1MHz 0.13um (CMOS) Technology 1.5V 256-Pin FBGA

$ 5.021

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		AFT09MS007NT1	137	1	Cut Tape	11.940	8.470	7.300	6.060	6.060
DigiKey	3	AFT09MS007NT1CT-ND	4,829	1	Cut Tape	12.920	10.135	8.674	8.089	8.089
RFMW		AFT09MS007NT1	0	1							18h
Future Electronics	2	AFT09MS007NT1	0	1K	Tape & Reel				3.040	3.040
Avnet		AFT09MS007NT1	0	1K					2.993	2.934	2d

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Future Electronics

Datasheet28ページ12年前

IHS

Freescale Semiconductor

Farnell

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00

Introduction Date2013-06-06

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-09-30

説明

NXP Semiconductors AFT09MS007NT1の詳細は販売業者から提供されます。

FPGA Cyclone Family 12060 Cells 320.1MHz 0.13um (CMOS) Technology 1.5V 256-Pin FBGA

Utmel Electronic

AFT09MSx Series 30 V 870 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - PLD-1.5W-2

Future Electronics

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W / High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Win Source

射频场效应管, 30V, 941MHZ, PLD-1.5W-2/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t/t;

element14 APAC

Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V, PLD4L

NXP Semiconductors SCT

Transistor RF FET N-CH 30V 1.8MHz to 941MHz 3-Pin PLD-1.5W T/R

Avnet

Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R

Verical

182W 12V 2.6V 1N 30V 107pF@ 7.5V 1.83mm

UnikeyIC

RF FET, 30V, 941MHZ, PLD-1.5W-2; Drain Source Voltage Vds: 30VDC; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 114W; Operating Frequency Min: 136MHz; Operating Frequency Max: 941MHz; RF Transistor Case: PLD-1.5W; No.

Farnell