Nexperia PSMN4R8-100BSEJ

Name: Nexperia PSMN4R8-100BSEJ
Brand: Nexperia
SKU: PSMN4R8-100BSEJ

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 3.045

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Distributor		SKU	Min	Pkg
TME	2	PSMN4R8-100BSEJ	1		5.670	4.250	3.820	3.820	3.820	15h
Newark		PSMN4R8-100BSEJ	1		8.560	5.670	4.040	4.040	4.040
Future Electronics		PSMN4R8-100BSEJ	800	Tape & Reel				9.480	9.480
Avnet		PSMN4R8-100BSEJ	800					2.031	1.823	18h
Arrow Electronics		PSMN4R8-100BSEJ	4800						1.777

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Nexperia

Datasheet13ページ13年前

Datasheet14ページ13年前

IHS

Upverter

NXP Semiconductors

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

説明

Nexperia PSMN4R8-100BSEJの詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N-channel 100 V, 4.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAK

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

PSMN4R8 Series 100 V 4.8 mOhm 278 nC N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes

Newark