CADモデル
製造元 Nexperia PSMN1R0-40YLDX のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
NXP SemiconductorsBUK761R4-30E,118
Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
NXP SemiconductorsBUK6E2R0-30C,127
N CH MOSFET, TRENCH AUTO, 30V, 120A, 3TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Co
NXP SemiconductorsBUK9509-40B,127
Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
説明
Nexperia PSMN1R0-40YLDXの詳細は販売業者から提供されます。
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK / Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
PSMN1R0 Series 40 V 1.1 mOhm 59 nC SMT N-Channel Logic Level MOSFET - LFPAK-56
N-channel 40 V, 1.1 mΩ, 280 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technology
198W(Tc) 20V 2.2V@1mA 127nC@ 10 V 1N 40V 1.1m¦¸@ 25A,10V 100A 8.845nF@20V LFPAK 1.1mm
40V 280A 1.1m´Î@10V25A 198W 2.2V@1mA N Channel LFPAK56 MOSFETs ROHS
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.845 nF
Max Dual Supply Voltage40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation198 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max1.1 mΩ
Rise Time62 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time52 ns