CADモデル
製造元 Nexperia PMZB200UNEYL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
InfineonIRLML2803TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V
Diodes Inc.DMN3190LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
説明
Nexperia PMZB200UNEYLの詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet Transistor, N Channel, 1.4 A, 30 V, 0.21 Ohm, 4.5 V, 700 Mv Rohs Compliant: Yes |Nexperia PMZB200UNEYL
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3 / N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
PMZB200UNE/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
2.7nC 1N 30V 1.4A 1mm*600¦Ìm*370¦Ìm
PMZB200UNE - 30V, N-CHANNEL TREN
MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SOT-883B-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.21ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700m
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance89 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max250 mΩ
Schedule B8541210080