CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
NexperiaBCP56-10TX
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Diodes Inc.BCP5616QTA
Single Bipolar Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, 3 Pins, Surface Mount
onsemiBCP56-10T3G
General Purpose Transistor Medium Power, NPN 80 V, 1 A BJT - NPN, 80V, 1A. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
onsemiMMJT9435T3
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 125 @ 800mA 1V 3A 3W 110MHz
説明
Nexperia BCP56TXの詳細は販売業者から提供されます。
TRANS NPN 80V 1A SOT223 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 1.8 W Surface Mount SOT-223
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
80V 600mW 1A 63@150mA2V 155MHz 500mV@500mA50mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-223-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Nexperia NPNTransistor, SOT-223 (SC-73)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current1 A, maximum collector-emission voltage80 V
TRANSISTOR, BIPOLAR, AEC-Q101, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:650mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:40hFE; Tr
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-261-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
hFE Min63
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency155 MHz