CADモデル
製造元 Nexperia BCP55-16,115 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
説明
Nexperia BCP55-16,115の詳細は販売業者から提供されます。
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
BCP55 Series 60 V 1 A Surface Mount NPN Power Transistor - SOT-223
Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BCP55-16, 115; NPN; 4
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
0.5V @ IC = 500 mA; IB = 50 mA; Tamb = 25 ¡ãC NPN 1.35W 5V 100nA 60V 60V 2A SOT-223
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:180MHz; Power Dissipation Pd:640mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain Max (hfe):100 ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency180 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency130 MHz
Dimensions
Height1.7 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm