価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | VN3205N8-G | 1,265 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | VN3205N8-G | 975 | 250 | Bulk | ||||||||
| Master Electronics | VN3205N8-G | 975 | 250 | |||||||||
| DigiKey | VN3205N8-GCT-ND | 906 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | VN3205N8-G | 0 | 2K | 6h |
CADモデル
製造元 Microchip VN3205N8-G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Projected EOL Date2034-08-26
Country of AssemblyChina, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 18 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 18 hours ago)
関連部品
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
NXP SemiconductorsAFT05MS004NT1
AFT05MSx Series 30 V 520 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - SOT-89-3
説明
Microchip VN3205N8-Gの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | MOSFET N-CH 50V 1.5A SOT89-3
N-Channel 50 V 300 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-89
Trans MOSFET N-CH Si 50V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
メーカーの別名
Microchipは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Microchip は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- MICROCIHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Weight52.786812 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance300 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max300 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm