CADモデル
製造元 Microchip TN0104N8-G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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サプライチェーン
Projected EOL Date2034-03-31
Country of AssemblyChina
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
関連部品
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
NXP SemiconductorsAFT05MS004NT1
AFT05MSx Series 30 V 520 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - SOT-89-3
説明
Microchip TN0104N8-Gの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET N-CH 40V 0.63A 4-Pin (3+Tab) SOT-89
TN0104 Series 40 V 2 Ohm N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET - SOT-89
MOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA N-Channel 40 V 630mA (Tj) 1.6W (Tc) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
MOSFET, N-CH, 40V, 0.63A, TO-243AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 630mA; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Po
メーカーの別名
Microchipは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Microchip は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Weight52.786812 mg
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)630 mA
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance70 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm