CADモデル
製造元 Microchip JANS2N2222A のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Projected EOL Date2049-02-05
Country of AssemblyUnited States of America
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginUnited States of America
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
関連部品
MicrochipJANTXV2N2222A
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA
MicrochipJANTX2N2222A
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA
MicrochipJAN2N2222A
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA
説明
Microchip JANS2N2222Aの詳細は販売業者から提供されます。
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 | TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
2N2222A Series NPN 50 V 800 mA Silicon Switching Transistor - TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Tray
40V 800Ma 500Mw Small-Signal Bjt Tht To-18 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology JANS2N2222A
NPN 500mW 6V 50nA 75V 50V 800mA TO-18,TO-206AA
メーカーの別名
Microchipは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Microchip は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-18
Contact PlatingLead, Tin
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min100
HS Code8541.21.0095, 8541.29.0095
Max Collector Current800 mA
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541290080
Dimensions
Height5.33 mm