CADモデル
製造元 Microchip 2N7002-G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Projected EOL Date2034-05-12
Country of AssemblyThailand
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 2 days ago)
説明
Microchip 2N7002-Gの詳細は販売業者から提供されます。
Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
2N7002 Series 60 V 115 mA 7.5 Ohm N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
Transistor MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
Avnet Japan
360mW(Ta) 30V 2.5V@ 250µA 1individualNChannel 60V 7.5Ω@ 500mA,10V 115mA 50pF@25V SOT-23，TO-236AB SMD mount 2.92mm*1.3mm*930μm
MOSFET, N-CH, 60V, 0.115A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 115mA; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; P
メーカーの別名
Microchipは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Microchip は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight1.437803 g
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
HS Code8542.39.0090
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation360 mW
Rds On Max7.5 Ω
Schedule B8542390000
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm