価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | IXTQ82N25P | 268 | 8 | |||||||||
| TME | IXTQ82N25P | 268 | 1 | 11h | ||||||||
| DigiKey | IXTQ82N25P-ND | 300 | 1 | Tube | ||||||||
| TTI | IXTQ82N25P | 0 | 300 | Tube | 1h | |||||||
| Newark | IXTQ82N25P | 0 | 300 |
CADモデル
製造元 Littelfuse IXTQ82N25P のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIRFP4227PBF
MOSFET Operating temperature: -40...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 330 W
説明
Littelfuse IXTQ82N25Pの詳細は販売業者から提供されます。
Disc Mosfet N-Ch Std-Polar To-3P (3)/ Tube |Littelfuse IXTQ82N25P
N-channel 250 V 82 A PolarHT Power MOSFET - TO-3P
Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Standard Power MOSFETs, TO-3P, RoHS
Littelfuse SCT
MOSFET, Single - N-Channel, 250V, 82A, 300W, TO-3P
Trans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 250V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
500W(Tc) 20V 5V@ 250uA 142nC@ 10 V 1N 250V 35m¦¸@ 41A,10V 82A 4.8nF@ 25V TO-3P 15.8mm*4.9mm*20.3mm
场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 82A, TO-3P;
MOSFET, N-CH, 250V, 82A, TO-3P;
MOSFETs TO3P N-Channel VDSS=250V ID=82A
メーカーの別名
Littelfuseは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Littelfuse は以下の名前でも知られているかもしれません：
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
技術仕様
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)82 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation500 W
Rds On Max38 mΩ
Reverse Recovery Time200 ns
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time78 ns