International Rectifier IRF7306TR

Name: International Rectifier IRF7306TR
Brand: International Rectifier
SKU: IRF7306TR

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

$ 0.384

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRF7306TR	15,218					0.462	0.384	0.342	1d
Win Source	WS-IRF7306TR	20,936	105					0.318	0.318	18h
ICPartonline	IRF7306TR	17,055			0.904	0.858	0.813	0.768	0.723	>1wk
Worldway Electronics	IRF7306TR	15,922	7	Tape & Reel		0.107	0.104	0.098	0.098	17h
Anlinkda	IRF7306TR	60,006			0.928	0.831	0.756	0.730	0.718	2d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1995-07-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-12-28

LTD Date2013-06-28

説明

International Rectifier IRF7306TRの詳細は販売業者から提供されます。

-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

International Rectifier

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET PowerMOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customizedleadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application.