CADモデル
製造元 International Rectifier IRF3205S のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
説明
International Rectifier IRF3205Sの詳細は販売業者から提供されます。
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
International Rectifierは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 International Rectifier は以下の名前でも知られているかもしれません：
- I&R
- IRF
- IOR
- INT'L RECTIFIER
- INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- INTERNATIONAL RECTIF
- RECT
- INT RECTIFIER
- OMNIREL
- INTERNATIO
- INT RECT
- SEMCOR
- INTLRECT
- INTERNATIONA
- INTERNATIONAL R
- INTERNATIONAL MICROCIRCUITS
- InternationRectifer
- INTER RECTIFIER
- International Rectifier (IR)
- INTERNATI
- IR - International Rectifier
- INTERNATIONAL RECT
- INTERNATIONAL RECTIFIER SE
- INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
- INTER REC
- IR
- International Rect.
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating110 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.25 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rise Time101 ns
Voltage Rating (DC)55 V
コンプライアンス
環境分類
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
準拠ステートメント