CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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関連部品
InfineonIPW90R500C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
STMicroelectronicsSTW15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW10NK80Z
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-247 package
説明
Infineon SPW11N80C3FKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, General Purpose, N Channel, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Through Hole
In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Replacement for CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7800V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:6A; Resistance, Rds On:1.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOT-93; ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 800 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 450 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 10 / Rise Time ns = 15 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 156
MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-93; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-218; Current Id Max:11A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:5.45mm; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-93; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Ptot Max:125W; Pulse Current Idm:24A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage800 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance450 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation156 W
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)800 V