Infineon SPD18P06PGBTMA1

Name: Infineon SPD18P06PGBTMA1
Brand: Infineon
SKU: SPD18P06PGBTMA1

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drai

$ 0.514

NRND

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SPD18P06PGBTMA1	5,092	1		1.730	1.100	0.734	0.549	0.549
Arrow Electronics	3	SPD18P06PGBTMA1	8,831	1		0.519	0.519	0.519	0.519	0.519
DigiKey	3	SPD18P06PGBTMA1CT-ND	2,794	1	Cut Tape	1.680	1.066	0.714	0.514	0.514
Rochester Electronics		SPD18P06PGBTMA1	20,573								21h
Avnet		SPD18P06PGBTMA1	0	2500							23h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -20.62%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon SPD18P06PGBTMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ26年前

Arrow Electronics

在庫履歴

3か月間の傾向:

-20.62%

CADモデル

製造元 Infineon SPD18P06PGBTMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-02-19

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

説明

Infineon SPD18P06PGBTMA1の詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drai

Newark

Single P-Channel 60 V 130 mOhm 22 nC SIPMOS® Power Mosfet - DPAK

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

SIPMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB

ComSIT Distribution GmbH

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Infineon

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18.6A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:80W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C

Farnell