価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SPB21N50C3ATMA1 | 1,658 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SPB21N50C3ATMA1 | 985 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SPB21N50C3ATMA1 | 2,000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SPB21N50C3ATMA1CT-ND | 2,434 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SPB21N50C3ATMA1 | 0 | 1K | 1d |
データシート & ドキュメント
Infineon SPB21N50C3ATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート1年前
CADモデル
製造元 Infineon SPB21N50C3ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
InfineonSPB20N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
説明
Infineon SPB21N50C3ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7.500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
MOSFET, N-CH, 500V, 21A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
MOSFET, N, TO-263; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:560V; Current, Id Cont:21A; Resistance, Rds On:0.19ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation208 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time67 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)560 V
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント