CADモデル
製造元 Infineon SPB04N60S5 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
説明
Infineon SPB04N60S5の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-Ch 600V 4.5A D2PAK-2 CoolMOS S5
4.5 A 600 V 0.95 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Cool MOS™ Power Transistor
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance950 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance580 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max950 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)600 V