CADモデル
製造元 Infineon SPA12N50C3XKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
関連部品
STMicroelectronicsSTF18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
STMicroelectronicsSTF14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
説明
Infineon SPA12N50C3XKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 500V 11.6A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
COOL MOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 500V, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):380mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:33W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11.6A; Package / Case:TO-220F; Power Dissipation Pd:33W; Power Dissipation Pd:33W; Pulse Current Idm:34.8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:500V; Voltage Vds Typ:560V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Replacement for 500V CoolMOS C3 is 500V CoolMOS CE >> Click & go to 500V CoolMOS CE | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.6 A
Current Rating11.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance380 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation33 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)560 V
Dimensions
Height9.83 mm
Length10.65 mm
Width4.85 mm