Infineon ISP12DP06NMXTSA1

Name: Infineon ISP12DP06NMXTSA1
Brand: Infineon
SKU: ISP12DP06NMXTSA1

P-Channel 60 V 2.8 A (Ta) 1.8 W (Ta) SMT Small Signal MOSFET - PG-SOT-223-4

$ 0.369

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		ISP12DP06NMXTSA1	1,272	1	Cut Tape	1.230	0.771	0.507	0.393	0.393
Arrow Electronics		ISP12DP06NMXTSA1	784	1		0.371	0.371	0.371	0.371	0.371
Rochester Electronics		ISP12DP06NMXTSA1	9,290					0.349	0.289	0.258	9h
DigiKey	3	448-ISP12DP06NMXTSA1CT-ND	1,104	1	Cut Tape	1.280	0.801	0.527	0.409	0.409
Future Electronics	2	ISP12DP06NMXTSA1	0	1K	Tape & Reel				0.260	0.255

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-03-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon ISP12DP06NMXTSA1の詳細は販売業者から提供されます。

P-Channel 60 V 2.8 A (Ta) 1.8 W (Ta) SMT Small Signal MOSFET - PG-SOT-223-4

Future Electronics

Mosfet, P-Ch, -60V, -2.8A, 150Deg C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies ISP12DP06NMXTSA1

Newark

Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Verical

MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 / P-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

Win Source

Infineon PMOS, Vds=60 V, 2.8 A, SOT-223, , 3

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

P-CH 60V 2,8A 125mOhm SOT-223-4

Rutronik

DC-DC Regulated Power Supply Module

Semicontronic

OptiMOS™ P-channel 60V power MOSFETs in SOT-223 package is the new technology targeted for consumer applications. Main advantage of OptiMOS™ P-channel MOSFETs is the simplifying of the design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to Microcontroller Unit (MCU), fast switching as well as avalanche ruggedness makes Infineon’s OptiMOS™ P-channel MOSFETs suitable for high quality demanding applications. The product improve efficiency at low loads due to low Qg.and is available in logic level featuring a wide RDS(on) range.

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