Infineon IRS2607DSTRPBF

Name: Infineon IRS2607DSTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRS2607DSTRPBF

High Voltage, High Speed Power Mosfet And Igbt Driver With Independent High Side, SOIC 8N, RoHS

$ 1.14

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRS2607DSTRPBF	2,799					1.370	1.140	1.010	1d
RS (Formerly Allied Electronics)	IRS2607DSTRPBF	0	2500	Bulk					1.120	16h
Win Source	WS-IRS2607DSTRPBF	5,600	35				1.355	1.101	1.101	25m
Worldway Electronics	IRS2607DSTRPBF	15,167	7	Bulk		0.346	0.335	0.317	0.317	3d
ICPartonline	IRS2607DSTRPBF	9,184			14.000	13.300	12.600	11.900	11.200	>1wk

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SHENGYU ELECTRONICS

Datasheet28ページ14年前

IHS

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.60

Introduction Date2008-05-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2017-01-08

LTD Date2017-07-06

説明

Infineon IRS2607DSTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

High Voltage, High Speed Power Mosfet And Igbt Driver With Independent High Side, SOIC 8N, RoHS

Infineon SCT

HIGH AND LOW SIDE DRIVER Full Bridge Based MOSFET Driver, 0.2A, CMOS, PDSO8

ComSIT Distribution GmbH

600 V High and Low Side Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. | Summary of Features: Floating channel designed for bootstrap operation; Fully operational to +600 V; Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune; Gate drive supply range from 10 V to 20 V; Undervoltage lockout for both channels; 3.3 V, 5 V and 15 V logic compatible; Matched propagation delay for both channels; Lower di/dt gate driver for better noise immunity; Outputs in phase with inputs; Integrated Bootstrap Diode; Suitable for both trapezoidal and sinusoidal motor control

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