説明
Infineon IRLZ24NLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:18A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating17 A
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Input Capacitance480 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation45 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time20 ns
Voltage Rating (DC)55 V