Infineon IRLR8103VPBF

Name: Infineon IRLR8103VPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR8103VPBF

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLR8103VPBF	0	6K	Bulk					1.600	18h
Farnell	IRLR8103VPBF	0	1		1.881*	1.486*	1.092*	0.761*	0.744*	1d
Win Source	WS-IRLR8103VPBF	1,588	100				0.516	0.344	0.344	2h
Worldway Electronics	IRLR8103VPBF	15,018	7	Tube		0.130	0.126	0.119	0.119	1d
Anlinkda	IRLR8103VPBF	20,096			1.955	1.751	1.494	1.463	1.401	1d

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IHS

Datasheet10ページ21年前

Datasheet9ページ21年前

DigiKey

iiiC

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-10-24

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRLR8103VPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level

Infineon

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, 30V, 89A, 9 MOHM, 27 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, 30V, 89A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:91A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:115W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:89A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.4°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:9mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:115W; Power Dissipation Pd:115W; Pulse Current Idm:363A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC