Infineon IRLP3034PBF

Name: Infineon IRLP3034PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLP3034PBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS

$ 2.32

NRND

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRLP3034PBF	163	1		1.982	1.982	1.982	1.982	1.982
Rochester Electronics		IRLP3034PBF	697					2.030	1.820	1.710	9m
Newark		IRLP3034PBF	0	1		6.080	3.880	3.350	3.170	3.170
Future Electronics	2	IRLP3034PBF	0	25	Tube			2.820	2.760	2.700
RS (Formerly Allied Electronics)		IRLP3034PBF	0	1	Bulk	5.860	5.160	5.160	5.160	5.160	17h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2009-04-21

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRLP3034PBFの詳細は販売業者から提供されます。

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 40V, 327A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:327A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:341W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:327A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:341W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon