Infineon IRLL2705PBF

Name: Infineon IRLL2705PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLL2705PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 3.8A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-16V; -55

$ 0.67

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLL2705PBF	0	1	Bulk	0.760	0.670	0.670	0.670	0.670	15h
Farnell	IRLL2705PBF	0	5			0.800*	0.396*	0.363*	0.356*	2h
Win Source	WS-IRLL2705PBF	71,910	210					0.204	0.189	2h
Worldway Electronics	IRLL2705PBF	17,535	7	Tube		0.710	0.697	0.670	0.657	6h
Fly-Wing Technology	IRLL2705PBF	384,432			0.282	0.232	0.224	0.210	0.210	3d

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRLL2705PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ22年前

Datasheet9ページ22年前

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

CADモデル

製造元 Infineon IRLL2705PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-02-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRLL2705PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 3.8A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V;-55

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 0.04 Ohm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223-3

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Pb free

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:3.8A; On Resistance, Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 55V, 3.8A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.1W; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.8A; Current Temperature:25°C; External Depth:7.3mm; External Length / Height:1.7mm; External Width:6.7mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:60°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:2.1W; Power Dissipation Pd:2.1W; Pulse Current Idm:30A; SMD Marking:LL2705; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V

element14 APAC