CADモデル
製造元 Infineon IRLL024N のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
説明
Infineon IRLL024Nの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, 55V, 4.4A, 65 mOhm, 10.4 nC Qg, Logic Level, SOT-223
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package
Trans MOSFET N-CH 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Current Rating3.1 A
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)55 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage55 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Rise Time21 ns
Voltage Rating (DC)55 V