Infineon IRLH5030TR2PBF

Name: Infineon IRLH5030TR2PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLH5030TR2PBF

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package

$ 1.764

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLH5030TR2PBF	0	400	Bulk				1.764	1.530	18h
Avnet	IRLH5030TR2PBF	0	400							2d
Microchip USA	IRLH5030TR2PBF	297	150	Tray				18.915	18.915	1d
Worldway Electronics	IRLH5030TR2PBF	15,401	7	Tape & Reel		1.870	1.835	1.764	1.729	4h
Aztech	IRLH5030TR2PBF	15,135			0.510	0.510	0.510	0.510	0.510	23h

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IHS

Datasheet8ページ14年前

element14 APAC

Newark

Farnell

サプライチェーン

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

説明

Infineon IRLH5030TR2PBFの詳細は販売業者から提供されます。

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package

International Rectifier

MOSFET, 100V, 100A, 9.0 mOhm max, 44 nC Qg, PQFN, Logic Level

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R

Verical

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET,N CH,30V,13A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:13A; Power Dissipation Pd:250W; Voltage Vgs Max:20V

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