Infineon IRL1404PBF

Name: Infineon IRL1404PBF
Brand: Infineon
SKU: IRL1404PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 4 Milliohms; ID 160A; TO-220AB; PD 200W; gFS 93S

$ 1.11

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRL1404PBF	10,737					1.340	1.110	0.992	20h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRL1404PBF	0	2500	Bulk					6.380	12h
Farnell		IRL1404PBF	0	1		2.345*	1.952*	1.667*	1.224*	1.224*	6h
Verical	3	IRL1404PBF	4,400	224					1.388	1.240
Win Source	2	WS-IRL1404PBF	247,000	24				1.957	1.641	1.641	21h

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Newark

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-02-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-12-28

LTD Date2013-06-28

説明

Infineon IRL1404PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 4 Milliohms;ID 160A;TO-220AB;PD 200W;gFS 93S

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 40 V 4 mOhm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 200 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 40V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:160A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:160A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:640A; SMD Marking:IRL1404PBF; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC