サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
説明
Infineon IRGB4B60KPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
600V Low VCEon Copack IGBT in a TO-220 package
IGBT, 600V, 12A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:12A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:63W; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:24A; Power, Pd:63W; Time, Fall:80ns; Time, Fall Max:80ns; Time, Rise:18ns
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time89 ns
Input Capacitance190 pF
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation63 W
Rise Time23 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height15.24 mm
Length10.5156 mm
Width4.699 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント