Infineon IRG7PH35UD1PBF

Name: Infineon IRG7PH35UD1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRG7PH35UD1PBF

1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode

$ 6.8

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRG7PH35UD1PBF	0	100	Bulk			6.800	6.800	6.800	3h
Farnell	IRG7PH35UD1PBF	0	1		4.312*	3.614*	3.466*	3.466*	3.466*	12h
Win Source	WS-IRG7PH35UD1PBF	6,000	7			8.369	5.579	5.579	5.579	13h
Worldway Electronics	IRG7PH35UD1PBF	9,806	7	Tube		1.635	1.585	1.501	1.501	12h
Anlinkda	IRG7PH35UD1PBF	13,777			1.294	1.159	1.054	1.018	0.998	20h

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRG7PH35UD1PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ13年前

Newark

CADモデル

製造元 Infineon IRG7PH35UD1PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-09

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRG7PH35UD1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode

International Rectifier

IGBT WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPL Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC

ComSIT Distribution GmbH

IGBT,N CH,DIODE,1200V,50A,TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:179W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:179W

Farnell