Infineon IRG4BC20SD-SPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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Obsolete

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-12-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

関連部品

IRG4BC20KD-S Series 600 V 9 A N-Channel UltraFast IGBT - D2PAK-3
IGBT 600V 16A 60W D2PAK / Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRG4BC10SD-SPBF, IGBT Transistor, 14 A 600 V, 1kHz, 3-Pin D2PAK
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STMicroelectronicsSTGB7H60DF
H Series 600 V 7 A Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK

説明

Infineon IRG4BC20SD-SPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
STANDARD SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 19A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:19A; Voltage, Vce Sat Max:1.6V; Power Dissipation:60W; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:38A; No. of Pins:3; Power, Pd:60W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Time, Fall Max:730ns; Time, Rise:35ns; Transistors, No. of:1

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります:

  • IRG4BC20SD-S
  • IRG4BC20SDSPBF
  • SP001535652