CADモデル
製造元 Infineon IRFZ44VZPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
関連部品
InfineonIRFZ48VPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 72A;TO-220AB;PD 150W;gFS 35S
InfineonIRFZ48ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8.6 Milliohms;ID 61A;TO-220AB;PD 91W;gFS 24S
InfineonIRFZ48NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 14 Milliohms;ID 64A;TO-220AB;PD 130W;gFS 24S
説明
Infineon IRFZ44VZPBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 9.6Milliohms;ID 57A;TO-220AB;PD 92W;gFS 25S
Single N-Channel 60 V 12 mOhm 43 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:57A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:92W; No. of Pins:3Pins; MSL:- RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 57 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 12 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 38 / Rise Time ns = 62 / Turn-OFF Delay Time ns = 35 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 92
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Current Rating57 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.69 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation92 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation92 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 mΩ
Rise Time62 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.6426 mm
Width4.82 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント